ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Π-N-СТРУКТУР, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ.

       В работе представлены экспериментальные результаты по исследованию вольт амперных характеристик p-n перехода лавинных диодах. В местах расположения дислокаций концентрация примесей увеличивается также вследствие повышенного значения коэффициента диффузии вдоль дислокаций. Но увеличение концентрации примеси также приведет к уменьшению Uпр в данной локальной области p-n перехода. Следовательно, при подаче обратного смещения на диод в области p-n-перехода с пониженным значением Eg или с повышенной концентрацией примеси начнет развиваться лавинный пробой при напряжении, меньшем Uпр, для основной части площади p-n перехода. В этой локальной области за счет развития лавины резко возрастет концентрация электронно-дырочной плазмы, поэтому ее иногда называют микроплазмой, а сам пробой – микроплазменным. Участок резкого нарастания тока (от 1/5÷1/3 Uп до Uп), где I≈Uп, а n изменяется от 1÷2 до 8÷14 (изменение n с ростом U носит немонотонный характер). Данный участок соответствует эффекту Пула-Френкеля или микроплазменному пробою.