<mods:mods xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-3.xsd" version="3.3" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:mods="http://www.loc.gov/mods/v3"><mods:titleInfo><mods:title>Изучение бинарных полупроводников методом яберно гамма резонансной спектроскопам.</mods:title></mods:titleInfo><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Тураев Э.Ю</mods:namePart><mods:namePart type="family">Тураев Э.Ю</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Эшмухаммадова Г.Х</mods:namePart><mods:namePart type="family">Эшмухаммадова Г.Х</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:abstract>Изучена состояния примесных атомов в бинарных полупроводниках методом ядерно гамма резонансной спектроскопии.Определана, что состояние примесных атомов зависит как от типа проводимости, так и от того находятся ли атомы в приповерхностном слое или же в объеме полупроводников</mods:abstract><mods:originInfo><mods:dateIssued encoding="iso8601">2023-06-16</mods:dateIssued></mods:originInfo><mods:genre>Maqola</mods:genre></mods:mods>