TY  - JOUR
Y1  - 2025/09/05/
AV  - public
A1  - I.M.Soliyev, I.M.Soliyev
SP  - 77
VL  - 2
EP  - 79
ID  - arxiv95163
UR  - https://universalconference.us/index.php/pssir/article/view/5132
IS  - 8
N2  - Ushbu maqolada Bi (vismut) asosidagi aralashma eritmalar yordamida qattiq qorishmalarni suyuq fazadan epitaksiyalash jarayoni o?rganildi. Asosiy e?tibor (Ge?)?????(ZnSe)???(GaAs???Bi?)? turdagi qattiq qorishmalarning o?sish sharoitlari va struktura xossalariga qaratildi. Aralashma eritmada komponentlarning eruvchanligi, eritma tarkibi va o?sish tezligining qatlam strukturasiga ta?siri eksperimental tarzda tahlil qilindi. Tadqiqotlar vismut eritmasida Ge?, GaAs va ZnSe ning molekulyar diffuziya asosida o?sishini va aralashma eritmaning to?yinganlik darajasining muhimligini ko?rsatdi. Harorat, sovitish tezligi va substratlar orasidagi masofa kabi texnologik parametrlarning epitaksiyalanish jarayoniga ta?siri baholandi.
TI  - Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog?liqligini taxlil qilish
KW  - Suyuq fazadan epitaksiyalanish
KW  -  qattiq qorishmalar
KW  -  vismut eritmasi
KW  -  molekulyar diffuziya
KW  -  Ge?
KW  -  GaAs
KW  -  ZnSe
KW  -  eruvchanlik
KW  -  kristallanish
KW  -  to?yingan eritma
JF  - PROBLEMS AND SOLUTIONS OF SCIENTIFIC AND INNOVATIVE RESEARCH
ER  -