%0 Journal Article
%A I.M.Soliyev, I.M.Soliyev
%D 2025
%F arxiv:95163
%J PROBLEMS AND SOLUTIONS OF SCIENTIFIC AND INNOVATIVE RESEARCH
%K Suyuq fazadan epitaksiyalanish, qattiq qorishmalar, vismut eritmasi, molekulyar diffuziya, Ge₂, GaAs, ZnSe, eruvchanlik, kristallanish, to‘yingan eritma
%N 8
%P 77-79
%T Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog‘liqligini taxlil qilish
%U https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/95163/
%V 2
%X Ushbu maqolada Bi (vismut) asosidagi aralashma eritmalar yordamida qattiq qorishmalarni suyuq fazadan epitaksiyalash jarayoni o‘rganildi. Asosiy e’tibor (Ge₂)₁₋ₓ₋ᵧ(ZnSe)₁₋ₓ(GaAs₁₋δBiδ)ᵧ turdagi qattiq qorishmalarning o‘sish sharoitlari va struktura xossalariga qaratildi. Aralashma eritmada komponentlarning eruvchanligi, eritma tarkibi va o‘sish tezligining qatlam strukturasiga ta’siri eksperimental tarzda tahlil qilindi. Tadqiqotlar vismut eritmasida Ge₂, GaAs va ZnSe ning molekulyar diffuziya asosida o‘sishini va aralashma eritmaning to‘yinganlik darajasining muhimligini ko‘rsatdi. Harorat, sovitish tezligi va substratlar orasidagi masofa kabi texnologik parametrlarning epitaksiyalanish jarayoniga ta’siri baholandi.