%0 Journal Article
%A Искандарович, Эшқораев Aбдуқодир
%D 2025
%F arxiv:70433
%I "XXI ASRDA INNOVATSION TEXNOLOGIYALAR, FAN VA TAʼLIM TARAQQIYOTIDAGI DOLZARB MUAMMOLAR" nomli respublika ilmiy-amaliy konferensiyasi
%J XXI ASRDA INNOVATSION TEXNOLOGIYALAR, FAN VA TAʼLIM TARAQQIYOTIDAGI DOLZARB MUAMMOLAR nomli respublika ilmiy-amaliy konferensiyasi
%K Кремний, комплексное легирование, марганец, элементы VI группы, донорно-акцепторные комплексы, дефектные состояния, рекомбинация носителей заряда, фоточувствительность, спинтроника, оптоэлектроника.
%T КОМПЛЕКСНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ МАРГАНЦЕМ И ЭЛЕМЕНТАМИ VI ГРУППЫ: ВЛИЯНИЕ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
%U https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/70433/
%X В современном развитии микро- и наноэлектроники особое внимание уделяется модификации кремния – основного материала для производства полупроводниковых приборов. В последние десятилетия интерес исследователей значительно сместился от традиционного легирования бором и фосфором к более сложным схемам, предполагающим одновременное внедрение нескольких примесных элементов.
%Z Imported from Universal Publishings (OAI id oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/13795)