eprintid: 69260
rev_number: 2
eprint_status: archive
userid: 1
dir: disk0/00/06/92/60
datestamp: 2026-05-26 15:58:33
lastmod: 2026-06-13 07:03:25
status_changed: 2026-05-26 15:58:33
type: article
metadata_visibility: show
sword_depositor: 1
creators_name: Солиев, И.М.
title: Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y
ispublished: pub
subjects: Спектральная фоточувствительность, примесь, твёрдый раствор, атомное соединение, гетероструктуры, нанокристалл, квантовая яма.
keywords: Спектральная фоточувствительность, примесь, твёрдый раствор, атомное соединение, гетероструктуры, нанокристалл, квантовая яма.
note: Imported from MJST Journal (OAI id oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/4762)
abstract: В статье приведены экспериментальные данные по исследованию фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y с различными нановключениями, выращенной методом жидкофазной эпитаксии. Фоточувствительность данной гетероструктуры проявляется в виде трёх основных пиков при энергиях фотонов 1,61; 1,97 и 2,63 эВ. Подробный анализ спектров показал, что центральный пик с наибольшей интенсивностью имеет сложное строение, что позволило выделить дополнительный четвёртый пик в диапазоне 2,1–2,3 эВ. Установлено, что обнаруженные пики связаны с энергетическими спектрами нанокристаллов германия, формирующихся на границах субкристаллитов плёнки, а также с квантовыми ямами GaAs₁–δBiδ, возникающими в приповерхностной области эпитаксиального слоя.
date: 2025-08-19
date_type: published
publisher: Center for Tech and Media Research
official_url: https://mjstjournal.com/index.php/icms/article/view/4762
id_number: oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/4762
full_text_status: public
publication: International conference on multidisciplinary science
citation:   Солиев, И.М.  (2025) Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y.  International conference on multidisciplinary science.       
document_url: https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/1/main.bin