…
comment: The repository administrator has not yet configured an RDF license.
primary topic: Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y

Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y
type: AcademicArticle
type: Article
abstract: В статье приведены экспериментальные данные по исследованию фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y с различными нановключениями, выращенной методом жидкофазной эпитаксии. Фоточувствительность данной гетероструктуры проявляется в виде трёх основных пиков при энергиях фотонов 1,61; 1,97 и 2,63 эВ. Подробный анализ спектров показал, что центральный пик с наибольшей интенсивностью имеет сложное строение, что позволило выделить дополнительный четвёртый пик в диапазоне 2,1–2,3 эВ. Установлено, что обнаруженные пики связаны с энергетическими спектрами нанокристаллов германия, формирующихся на границах субкристаллитов плёнки, а также с квантовыми ямами GaAs₁–δBiδ, возникающими в приповерхностной области эпитаксиального слоя.
date: 2025-08-19
status: published
author list: authors
type: EPrint
type: ArticleEPrint
is part of: repository

Center for Tech and Media Research
type: Organization

International conference on multidisciplinary science
type: Collection

И.М. Солиев
type: Person
given name: И.М.
family name: Солиев

HTML Summary of #69260 Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y
format: text/html
primary topic: Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y