<> <http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#comment> "The repository administrator has not yet configured an RDF license."^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<> <http://xmlns.com/foaf/0.1/primaryTopic> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://purl.org/ontology/bibo/AcademicArticle> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://purl.org/ontology/bibo/Article> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/dc/terms/title> "Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y"^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/ontology/bibo/abstract> "В статье приведены экспериментальные данные по исследованию фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y с различными нановключениями, выращенной методом жидкофазной эпитаксии. Фоточувствительность данной гетероструктуры проявляется в виде трёх основных пиков при энергиях фотонов 1,61; 1,97 и 2,63 эВ. Подробный анализ спектров показал, что центральный пик с наибольшей интенсивностью имеет сложное строение, что позволило выделить дополнительный четвёртый пик в диапазоне 2,1–2,3 эВ. Установлено, что обнаруженные пики связаны с энергетическими спектрами нанокристаллов германия, формирующихся на границах субкристаллитов плёнки, а также с квантовыми ямами GaAs₁–δBiδ, возникающими в приповерхностной области эпитаксиального слоя."^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/dc/terms/date> "2025-08-19" .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/org/ext-20ef1f289b7920027328009b5eefe52c> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://xmlns.com/foaf/0.1/Organization> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/org/ext-20ef1f289b7920027328009b5eefe52c> <http://xmlns.com/foaf/0.1/name> "Center for Tech and Media Research"^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/dc/terms/publisher> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/org/ext-20ef1f289b7920027328009b5eefe52c> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/publication/ext-11f7c0335a6a2f440ad5acbe52ea8f6f> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://purl.org/ontology/bibo/Collection> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/publication/ext-11f7c0335a6a2f440ad5acbe52ea8f6f> <http://xmlns.com/foaf/0.1/name> "International conference on multidisciplinary science"^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/dc/terms/isPartOf> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/publication/ext-11f7c0335a6a2f440ad5acbe52ea8f6f> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/ontology/bibo/status> <http://purl.org/ontology/bibo/status/published> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/dc/terms/creator> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/ontology/bibo/authorList> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260#authors> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260#authors> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#_1> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://xmlns.com/foaf/0.1/Person> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> <http://xmlns.com/foaf/0.1/givenName> "И.М."^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> <http://xmlns.com/foaf/0.1/familyName> "Солиев"^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> <http://xmlns.com/foaf/0.1/name> "И.М. Солиев"^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#string> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://eprints.org/ontology/EPrint> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#type> <http://eprints.org/ontology/ArticleEPrint> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://purl.org/dc/terms/isPartOf> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/repository> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> <http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#seeAlso> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/> .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/> <http://purl.org/dc/elements/1.1/title> "HTML Summary of #69260 \n\nФотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y\n\n" .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/> <http://purl.org/dc/elements/1.1/format> "text/html" .
<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/> <http://xmlns.com/foaf/0.1/primaryTopic> <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> .