@prefix foaf: <http://xmlns.com/foaf/0.1/> .
  @prefix skos: <http://www.w3.org/2004/02/skos/core#> .
  @prefix void: <http://rdfs.org/ns/void#> .
  @prefix ep: <http://eprints.org/ontology/> .
  @prefix xsd: <http://www.w3.org/2001/XMLSchema#> .
  @prefix dct: <http://purl.org/dc/terms/> .
  @prefix rdf: <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#> .
  @prefix cc: <http://creativecommons.org/ns#> .
  @prefix bibo: <http://purl.org/ontology/bibo/> .
  @prefix owl: <http://www.w3.org/2002/07/owl#> .
  @prefix event: <http://purl.org/NET/c4dm/event.owl#> .
  @prefix doi: <https://doi.org/> .
  @prefix epid: <https://arxiv.universalpublishings.com/id/> .
  @prefix dc: <http://purl.org/dc/elements/1.1/> .
  @prefix rdfs: <http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#> .
  @prefix eprel: <http://eprints.org/relation/> .
  @prefix geo: <http://www.w3.org/2003/01/geo/wgs84_pos#> .

<>
	foaf:primaryTopic <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260>;
	rdfs:comment "The repository administrator has not yet configured an RDF license."^^xsd:string .

<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260#authors>
	rdf:_1 <https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc> .

<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/>
	dc:format "text/html";
	dc:title "HTML Summary of #69260 \n\nФотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y\n\n";
	foaf:primaryTopic <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260> .

<https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260>
	bibo:abstract "В статье приведены экспериментальные данные по исследованию фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y с различными нановключениями, выращенной методом жидкофазной эпитаксии. Фоточувствительность данной гетероструктуры проявляется в виде трёх основных пиков при энергиях фотонов 1,61; 1,97 и 2,63 эВ. Подробный анализ спектров показал, что центральный пик с наибольшей интенсивностью имеет сложное строение, что позволило выделить дополнительный четвёртый пик в диапазоне 2,1–2,3 эВ. Установлено, что обнаруженные пики связаны с энергетическими спектрами нанокристаллов германия, формирующихся на границах субкристаллитов плёнки, а также с квантовыми ямами GaAs₁–δBiδ, возникающими в приповерхностной области эпитаксиального слоя."^^xsd:string;
	bibo:authorList <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260#authors>;
	bibo:status <http://purl.org/ontology/bibo/status/published>;
	dct:creator <https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc>;
	dct:date "2025-08-19";
	dct:isPartOf <https://arxiv.universalpublishings.com/id/repository>,
		<https://arxiv.universalpublishings.com/id/publication/ext-11f7c0335a6a2f440ad5acbe52ea8f6f>;
	dct:publisher <https://arxiv.universalpublishings.com/id/org/ext-20ef1f289b7920027328009b5eefe52c>;
	dct:title "Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y"^^xsd:string;
	rdf:type bibo:AcademicArticle,
		bibo:Article,
		ep:ArticleEPrint,
		ep:EPrint;
	rdfs:seeAlso <https://arxiv.universalpublishings.com/id/eprint/69260/> .

<https://arxiv.universalpublishings.com/id/org/ext-20ef1f289b7920027328009b5eefe52c>
	foaf:name "Center for Tech and Media Research"^^xsd:string;
	rdf:type foaf:Organization .

<https://arxiv.universalpublishings.com/id/person/ext-fa158b365f97be9cb0127180b14809fc>
	foaf:familyName "Солиев"^^xsd:string;
	foaf:givenName "И.М."^^xsd:string;
	foaf:name "И.М. Солиев"^^xsd:string;
	rdf:type foaf:Person .

<https://arxiv.universalpublishings.com/id/publication/ext-11f7c0335a6a2f440ad5acbe52ea8f6f>
	foaf:name "International conference on multidisciplinary science"^^xsd:string;
	rdf:type bibo:Collection .