Arxiv Universal PublishingsФотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)yИ.М.СолиевauthorВ статье приведены экспериментальные данные по исследованию фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y с различными нановключениями, выращенной методом жидкофазной эпитаксии. Фоточувствительность данной гетероструктуры проявляется в виде трёх основных пиков при энергиях фотонов 1,61; 1,97 и 2,63 эВ. Подробный анализ спектров показал, что центральный пик с наибольшей интенсивностью имеет сложное строение, что позволило выделить дополнительный четвёртый пик в диапазоне 2,1–2,3 эВ. Установлено, что обнаруженные пики связаны с энергетическими спектрами нанокристаллов германия, формирующихся на границах субкристаллитов плёнки, а также с квантовыми ямами GaAs₁–δBiδ, возникающими в приповерхностной области эпитаксиального слоя.2025-08-19Center for Tech and Media ResearchMaqola

For work being deposited by its own author: In self-archiving this collection of files and associated bibliographic metadata, I grant Arxiv Universal Publishings the right to store them and to make them permanently available publicly for free on-line. I declare that this material is my own intellectual property and I understand that Arxiv Universal Publishings does not assume any responsibility if there is any breach of copyright in distributing these files or metadata. (All authors are urged to prominently assert their copyright on the title page of their work.)

For work being deposited by someone other than its author: I hereby declare that the collection of files and associated bibliographic metadata that I am archiving at Arxiv Universal Publishings is in the public domain. If this is not the case, I accept full responsibility for any breach of copyright that distributing these files or metadata may entail.

Clicking on the Deposit Item Now button indicates your agreement to these terms.