…
comment: The repository administrator has not yet configured an RDF license.
primary topic: ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Π-N-СТРУКТУР, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ.

ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Π-N-СТРУКТУР, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ.
type: AcademicArticle
type: Article
abstract: В работе представлены экспериментальные результаты по исследованию вольт амперных характеристик p-n перехода лавинных диодах. В местах расположения дислокаций концентрация примесей увеличивается также вследствие повышенного значения коэффициента диффузии вдоль дислокаций. Но увеличение концентрации примеси также приведет к уменьшению Uпр в данной локальной области p-n перехода. Следовательно, при подаче обратного смещения на диод в области p-n-перехода с пониженным значением Eg или с повышенной концентрацией примеси начнет развиваться лавинный пробой при напряжении, меньшем Uпр, для основной части площади p-n перехода. В этой локальной области за счет развития лавины резко возрастет концентрация электронно-дырочной плазмы, поэтому ее иногда называют микроплазмой, а сам пробой – микроплазменным. Участок резкого нарастания тока (от 1/5÷1/3 Uп до Uп), где I≈Uп, а n изменяется от 1÷2 до 8÷14 (изменение n с ростом U носит немонотонный характер). Данный участок соответствует эффекту Пула-Френкеля или микроплазменному пробою.
date: 2025-06-21
status: published
author list: authors
type: EPrint
type: ArticleEPrint
is part of: repository

Center for Tech and Media Research
type: Organization

Multidisciplinary Journal of Science and Technology
type: Collection

Али Абдреймов
type: Person
given name: Али
family name: Абдреймов

Жасмина Хожамуратова
type: Person
given name: Жасмина
family name: Хожамуратова

HTML Summary of #60887 ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Π-N-СТРУКТУР, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ.
format: text/html
primary topic: ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Π-N-СТРУКТУР, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ.